文章來源：中國電子信息產業集團公司 發布時間：2009-12-18
中國電子所屬上海華虹NEC公司近日宣布完成金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）400V高壓工藝的研發，成功進入高壓MOSFET代工市場。通過技術攻關，華虹NEC公司成功將Trench結構應用在高壓 400V MOSFET工藝中，該工藝可應用于熒光燈、臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器等的交直流電源和適配器上，與傳統的平面結構VDMOS相比，該工藝可有效降低產品的導通電阻，功耗低、效率高，能更好地滿足市場和客戶需求，下一步華虹NEC還將繼續研發推出500V-800V的MOSFET產品工藝。