文章來源：中國電子科技集團(tuán)公司 發(fā)布時間：2012-04-06
2012年3月28日，根據(jù)中國電子科技集團(tuán)公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作協(xié)議，針對寬禁帶技術(shù)的快速發(fā)展，中國電科組織有關(guān)單位與西安電子科技大學(xué)就寬禁帶技術(shù)深入合作進(jìn)行了洽談。西安電子科技大學(xué)校長段寶巖、副校長郝躍和中國電科科技部主任王政、2所所長李子杰、18所所長周春林、48所所長劉濟(jì)東等參加洽談。
西電與中國電科均是國家電子科技發(fā)展的優(yōu)勢力量，雙方有廣泛的合作空間。雙方具體合作本著“互利共贏、優(yōu)勢互補(bǔ)”的原則，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同攻關(guān)，在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行如下四項具體合作研究：一是雙方聯(lián)合開展高溫MOCVD設(shè)備的設(shè)計、制造、產(chǎn)業(yè)化和應(yīng)用研究；二是雙方聯(lián)合開展ALD（原子層淀積）設(shè)備設(shè)計、制造、產(chǎn)業(yè)化和應(yīng)用研究；三是雙方聯(lián)合開展寬禁帶基礎(chǔ)理論、單晶材料、外延材料、高性能器件設(shè)計及工藝研究；四是雙方聯(lián)合開展InGaN太陽能電池基礎(chǔ)理論、材料、器件設(shè)計和工藝研究，以共同促進(jìn)我國寬禁帶技術(shù)的快速發(fā)展。